最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究

被引：7

作者：

陈跃宁 ^{[1
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徐征 ^{[1
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赵谡玲 ^{[1
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孙钦军 ^{[1
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尹飞飞 ^{[1
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董宇航 ^{[2
]}

机构：

[1] 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室

[2] 辽宁大学物理学院

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 11期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

最小二乘拟合; 场效应迁移率; 有机薄膜晶体管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN321.5 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

本文通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其场效应迁移率.研究发现,采用不同的拟合方法得到的场效应迁移率值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的场效应迁移率能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到的场效应迁移率最接近.

引用

页码：8113 / 8117

页数：5

共 5 条

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