金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

被引：3

作者：

刘传珍

杨柏梁

张玉

李牧菊

吴渊

廖燕平

王大海

邱法斌

李轶华

黄锡珉

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

[2] 北方液晶工程研究开发中心!吉林长春

[3] 中国科学院长春光学

来源：

液晶与显示 | 2000年 / 04期

关键词：

金属诱导晶化; 多晶硅薄膜; 退火;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。

引用

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