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PECVD氮化硅薄膜的制备和研究
被引：3
作者：
李琼
陈永兴
机构：
来源：
关键词：
PECVD;
氮化硅薄膜;
氮化硅膜;
本征击穿;
半导体器件;
电子设备;
淀积速率;
平带电压;
体电阻率;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
我们设计制造了一套PECVD低温淀积氮化硅的小型设备。并将生成膜用于半导体器件的钝化。本文介绍了这套设备的原理和设计思想,研究了工艺参数对生成膜的影响,测定了生成膜的各种物理化学性能。我们认为这是一种值得在我国推广的钝化工艺。
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