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用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光
被引:6
作者
:
刘湘娜,吴晓薇,鲍希茂,何宇亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南京大学物理系
刘湘娜,吴晓薇,鲍希茂,何宇亮
机构
:
[1]
南京大学物理系
来源
:
物理学报
|
1994年
/ 06期
关键词
:
纳米晶粒;
光致发光;
硅薄膜;
等离子体增强化学汽相沉积;
淀积;
衬底温度;
高氢稀释;
多孔硅;
发光强度;
光强;
微细晶粒;
非辐射复合;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O472.3 [];
学科分类号
:
摘要
:
报道用高氢稀释硅烷为反应气源,用等高子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜,未经任何后处理过程,在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙,还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。
引用
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页码:985 / 990
页数:6
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