共 2 条
[1]
..Hower P.L;.Proc. IEEE.1988,
[2]
IEDM Tech..Veda D;.Digest.1986,
电力电子器件的新发展
被引：2
作者：
李志晨
机构：
[1] 机电部第二十四研究所四川永川
来源：
关键词：
电力集成器件(PID);
VDMOS;
绝缘栅双极晶体管(IGBT)、MOS控制晶闸管(MCT);
静电感应晶体管(SIT);
D O I：
暂无
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学科分类号：
摘要：
本文概述了基于大规模集成电路制造工艺发展起来的各种新型功率器件的结构、性能水平以及今后的发展趋势,重点是场控器件。
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