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低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用
被引：2
作者：
耿新华
孟志国
陆靖谷
孙仲林
机构：
[1] 南开大学电子科学系
来源：
关键词：
太阳电池;
c-Si;
填充因子;
开路电压;
大面积;
低温;
D O I：
10.19912/j.0254-0096.1991.03.004
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅（n+μc-Si）做电池的n+层,结果使10×0cm2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n+μc-Si材料的特性及用于太阳电池的实验情况做了详细的介绍,并对实验结果进行了讨论。
引用
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页码：247 / 254
页数：8
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