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低噪声频率合成.[M].白居宪[著];.西安交通大学出版社.1995,
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一种基于偏移源的频率合成技术分析
被引：4
作者：
陈焕东
牛旭
刘立青
机构：
[1] 中国电子科技集团公司第五十四研究所
来源：
关键词：
锁相环;
偏移源;
低相位噪声;
低杂散信号;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN74 [频率合成技术、频率合成器];
学科分类号：
140101 [集成纳电子科学];
摘要：
针对一种基于偏移源的频率合成技术,建立了锁相环(PLL)线性模型,对相位噪声和杂散信号性能进行分析。从分析结果看,在锁相环反馈支路中使用一个偏移源将压控振荡器(VCO)输出信号下混频至一个较低的中频,从而将锁相环的环路分频比大大降低,使改善后的锁相环噪底达到-135 dBc/Hz。介绍了偏移源和主环的关键合成技术,结合工程应用设计的基于偏移源的C频段频率合成器,相位噪声偏离载波10 kHz处≤-99 dBc/Hz,偏离载波100 kHz处≤-116 dBc/Hz,杂散小于-70 dBc。
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