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激光辐照下InSb探测器(PV型)的瞬变行为
被引:18
作者
:
陆启生
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机构:
国防科技大学应用物理系
陆启生
蒋志平
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机构:
国防科技大学应用物理系
蒋志平
刘泽金
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机构:
国防科技大学应用物理系
刘泽金
机构
:
[1]
国防科技大学应用物理系
来源
:
强激光与粒子束
|
1991年
/ 01期
关键词
:
光生电动势的激光饱和效应;
瞬变行为;
热特性;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文给出了InSb探测器(PV型)在激光辐射下开路电压随时间变化的实验曲线,并对此结果作了理论分析,取得了相当好的一致性。
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页码:102 / 108
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[1]
激光辐照InSb(PV)型探测器的温升计算
[J].
蒋志平
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机构:
国防科技大学应用物理系
蒋志平
;
陆启生
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国防科技大学应用物理系
陆启生
;
刘泽金
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机构:
国防科技大学应用物理系
刘泽金
.
强激光与粒子束,
1990,
(02)
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-251
[2]
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
[J].
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.
物理学报,
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-428
[3]
半导体物理基础.[M].黄昆;韩汝琦 著.科学出版社.1979,
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激光辐照InSb(PV)型探测器的温升计算
[J].
蒋志平
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国防科技大学应用物理系
蒋志平
;
陆启生
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国防科技大学应用物理系
陆启生
;
刘泽金
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机构:
国防科技大学应用物理系
刘泽金
.
强激光与粒子束,
1990,
(02)
:247
-251
[2]
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
[J].
黄启圣
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黄启圣
;
吴自强
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;
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田种运
.
物理学报,
1964,
(05)
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-428
[3]
半导体物理基础.[M].黄昆;韩汝琦 著.科学出版社.1979,
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