毁损大鼠大脑皮层SⅡ区对中缝大核神经元电针效应的影响

被引：1

作者：

蒋旻春 ^{[1
]}

刘乡 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国中医研究院针灸研究所

来源：

针刺研究 | 1989年 / Z1期

关键词：

自发放电; NRM; 神经元; 神经组织; 伤害性反应; 电针;

D O I：

10.13702/j.1000-0607.1989.z1.035

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

实验用大白鼠体重200～350克,玻璃微电极细胞外记录NRM神经元的自发放电及串脉冲尾尖刺激后的反应。电解损毁双侧SⅡ。双侧“足三里”电针,时间5分钟。实验分两组进行,一组在SⅡ完整条件下电针“足三里”,另一组则是在SⅡ毁损后电针“足三里”,实验中记录两次伤害性刺激后NRM神经元的反应,以其均数作为自身对照,尔后电针“足三里”,观察此后该神经元30分钟内伤害性反应及自发放电的变化。 SⅡ完整组观察了10个兴奋型NRM神经元,SⅡ毁损组为17个,其中有3个与SⅡ完整组为同神经元。看到在SⅡ完整组,电针“足三里”可明显增加NRM兴奋型神经元的自发放电,并使其伤害性反应减弱。统计学处理表明:自发放电的增加在0～10及20分钟有统计学意义(P<0.05～0.001)。伤害性反应减小在0～25分钟有统计学意义(P<0.01～

引用

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