低能N+注入诱导拟南芥变异及突变体特异表达cDNA克隆

被引:9
作者
常凤启
李银心
刘选明
刘公社
朱至清
机构
[1] 中国科学院植物研究所,中国科学院植物研究所,中国科学院植物研究所,中国科学院植物研究所,中国科学院植物研究所北京,北京,北京,北京,北京
关键词
低能离子束; 拟南芥; 变异; cDNA; 减法文库;
D O I
暂无
中图分类号
Q943.2 [植物基因工程];
学科分类号
摘要
低能N+离子注入拟南芥引起处理当代(M0)种子的萌发率降低,并且降低的幅度随剂量的升高而增大。较高剂量离子处理的M2代植株中出现了较明显的表型变异,包括黄化、半致死、形态变异以及开花结实性状的改变等。对M2代植株进行随机引物扩增多态性DNA(RAPD)分析的结果表明,离子注入处理的拟南芥中有RAPD条带的缺失或增加,且变化频率与离子注入的剂量相关,而对照未发现有明显变化。80次剂量处理的M1代植株中有一株特别矮小,为典型的矮化变异体,以它的一个稳定的M6代矮化突变体T80Ⅱ为材料,用PCR增效的减法杂交技术,构建减法文库,克隆特异表达的cDNA片段,其中1个712bP的片段与GRF基因有部分同源性。
引用
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