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GaN及其Ga空位的电子结构
被引：15
作者：
何军
郑浩平
机构：
[1] 同济大学玻尔固体物理研究所,同济大学玻尔固体物理研究所上海,上海
来源：
关键词：
GaN;
电子结构;
团簇埋入自洽计算;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471.5 [半导体能带结构];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算 ,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N 2p带、N 2s带和Ga 3d带之间的相对位置 .在此基础上Ga空位计算 (无晶格畸变 )显示 ,Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面 .因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的 2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子
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页码：2580 / 2588
页数：9
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