入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

被引：1

作者：

郑树文

范广涵

李述体

周天明

机构：

[1] 华南师范大学光电子材料与技术研究所

来源：

量子电子学报 | 2007年 / 04期

关键词：

光电子学; 布拉格反射器; 传输矩阵法; GaN基; 入射介质;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN253 [光纤元件];

学科分类号：

0702 ; 070207 ;

摘要：

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器（DBR）进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。

引用

页码：514 / 518

页数：5

共 7 条

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