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不挥发铁电存储器的最新发展
被引：6
作者：
罗维根，丁爱丽
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所
来源：
关键词：
铁电薄膜，铁电随机存储器（FeRAM）；不挥发铁电存储器;
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ138.11 [];
学科分类号：
摘要：
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．
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