有机薄膜场效应晶体管的研制

被引:16
作者
邱勇
胡远川
董桂芳
王立铎
高裕弟
机构
[1] 清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系北京 ,北京 ,北京 ,北京 ,北京
关键词
有机薄膜晶体管; 铜酞菁; 聚四氟乙烯;
D O I
暂无
中图分类号
TN32 [半导体三极管(晶体管)];
学科分类号
070208 [无线电物理];
摘要
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10-6cm2·(V·s)-1,开关电流比大于500.
引用
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