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有机薄膜场效应晶体管的研制
被引:16
作者
:
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机构:
邱勇
胡远川
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机构:
清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系北京 ,北京 ,北京 ,北京 ,北京
胡远川
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机构:
董桂芳
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机构:
王立铎
高裕弟
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机构:
清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系北京 ,北京 ,北京 ,北京 ,北京
高裕弟
机构
:
[1]
清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系,清华大学化学系北京 ,北京 ,北京 ,北京 ,北京
来源
:
科学通报
|
2002年
/ 08期
关键词
:
有机薄膜晶体管;
铜酞菁;
聚四氟乙烯;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN32 [半导体三极管(晶体管)];
学科分类号
:
070208
[无线电物理]
;
摘要
:
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10-6cm2·(V·s)-1,开关电流比大于500.
引用
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页码:580 / 583
页数:4
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