用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

被引：9

作者：

张宇翔

王海燕

陈永生

杨仕娥

郜小勇

卢景霄

冯团辉

李瑞

郭敏

机构：

[1] 郑州大学物理工程学院

[2] 郑州大学物理工程学院郑州

[3] 郑州

来源：

人工晶体学报 | 2005年 / 02期

关键词：

多晶硅薄膜; 快速光热退火; 固相晶化;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.02.031

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2. 5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用。

引用

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