热液条件下SiO2和SnO2生长形态的形成机制

被引：6

作者：

仲维卓，刘光照，华素坤

唐鼎元，赵庆兰

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院福建物质结构研究所

来源：

人工晶体学报 | 1994年 / 01期

关键词：

生长基元；面族；生长习性；结晶形态；水晶；锡石晶体；生长机理;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1994.01.001

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

本文研究了热液条件下，水晶和锡石的结晶形态和生长机制的关系，提出了水晶和锡石的生长基元为配位负离子多面体结构。在生长条件和溶液过饱和度不同时，生长基元的维度也不同，而不同维度的生长基元往晶体各族晶面上叠合的速率也有差异。由于各族晶面生长速率的变化，导致晶体结晶形态上的多变性。本文结合实验讨论了水晶和锡石的结晶习性和形成机理。

引用

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