逆境处理下水稻叶角质层蜡质积累及其与蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系

被引:42
作者
周玲艳 [1 ,2 ]
姜大刚 [2 ]
李静 [2 ]
周海 [2 ]
曹伟炜 [2 ]
庄楚雄 [2 ]
机构
[1] 仲恺农业工程学院生命科学学院
[2] 华南农业大学生命科学学院
基金
广东省自然科学基金;
关键词
水稻; 逆境处理; 角质层蜡质; OsGL1; 表达;
D O I
暂无
中图分类号
S511 [稻];
学科分类号
090104 [作物信息科学与技术];
摘要
植物角质层蜡质在抵抗各种生物和非生物胁迫中起着非常重要的作用。本试验以水稻(Oryza sativa L.)幼苗为材料,分别以200mmol L-1 NaCl、12%PEG、1.0%H2O2、40℃高温和8℃低温为逆境,研究叶角质层蜡质的积累情况以及其与水稻蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系。扫描电镜观察以及叶角质层蜡质总量测定结果表明,12%PEG、1.0%H2O2和8℃低温处理下水稻幼苗叶角质层蜡质的积累明显增加,而200mmol L-1 NaCl和40℃高温处理下叶角质层蜡质覆盖量略有下降。RT-PCR分析显示,逆境处理下水稻蜡质合成相关基因OsGL1的表达量变化与水稻幼苗叶角质层蜡质的积累存在相关性。
引用
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