有边界条件的忆阻元件模型及其性质

被引：8

作者：

张旭

周玉泽

闭强

杨兴华

俎云霄

机构：

[1] 北京邮电大学电子工程学院

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 09期

关键词：

忆阻元件; 边界条件; 数学模型; 性质;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM501 [理论];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

对第四类基本电路元件——忆阻元件的基本特性进行了研究,分别建立了无边界条件和有边界条件的忆阻元件的积分形式的数学模型.对有边界条件的数学模型进行了仿真,分析了有边界条件下电源频率和掺杂比、初始掺杂宽度等模型参数对电流、电压电流关系、磁链电荷关系等元件特性的影响,得出了相关的结论.

引用

页码：6673 / 6680

页数：8

共 10 条

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