等离子体源离子注入（I）──原理和技术

被引：21

作者：

汤宝寅

机构：

[1] 哈尔滨工业大学

来源：

物理 | 1994年 / 01期

关键词：

等离子体源; 哈尔滨工业大学; 哈工大; 等离子体密度; 鞘层; 阳离子; 正离子; 离子掺杂; 离子注入; 注入装置; 电子温度; 表面性质; 表面改性; 表面改性技术; 注入剂量; 威斯康辛大学;

D O I：

暂无

中图分类号：

O539 [等离子体物理的应用];

学科分类号：

070204 ;

摘要：

等离子体源离子注入（ＰＳＩＩ）是用于材料表面改性的一种新的、廉价的、非视线技术，它消除了一般束线离子注入（ＩＢＩＩ）所固有的视线限制，克服了保持剂量问题，使注入装置变得简单和价廉。介绍了ＰＳＩＩ过程、装置和基本物理与技术问题，也介绍了在美国威斯康辛大学和哈尔滨工业大学ＰＳＩＩ研究室中进行的ＰＳＩＩ技术研究及其工业应用的初步结果。

引用

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