氮化硅陶瓷磨削表面残余应力的测试与计算

被引：11

作者：

祝昌军

高玲

杨海涛

金景烈

蒋俊

机构：

[1] 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

[2] 浦项工业大学浦项加速器实验室

来源：

关键词：

残余应力; 气压烧结; 氮化硅;

D O I：

10.19476/j.ysxb.1004.0609.2002.s1.007

中图分类号：

TB302 [工程材料试验];

学科分类号：

摘要：

利用X射线衍射应力分析的sin2 ψ法测量、计算出氮化硅陶瓷试样的残余应力。分析表明 ,经平面磨磨削后的气压烧结氮化硅陶瓷试样表面存在的残余应力为拉应力 ,而再经过表面抛光处理 ,则可以适当地降低表面残余应力。

引用

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