半导体开关在脉冲功率技术中的应用

被引：17

作者：

孟志鹏

张自成

杨汉武

钱宝良

机构：

[1] 国防科技大学光电科学与工程学院

来源：

中国物理C | 2008年 / S1期

关键词：

半导体开关; 全固态; 脉冲功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN389 [其他器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

国内外脉冲功率技术的一个重要的发展趋势,即高功率、长脉冲、高重频以及小型化,由此以半导体器件为基础的全固态脉冲功率技术得到了广泛的关注和应用;文章以晶闸管(SCR)、绝缘门双极晶体管(IGBT)以及半导体断路开关(SOS)的应用为例进行了说明;对用晶闸管控制的充电系统、IGBT应用于Marx发生器和脉冲变压器驱动源以及半导体断路开关的应用做了较为详细的原理性说明,并给出了一些实验结果.半导体开关技术的应用在一定程度上解决了传统脉冲功率发生器装置中存在的短寿命,低重复频率,稳定性差等缺点,具有广泛的应用前景.

引用

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