高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

被引:5
作者
孙孝峰
金晓毅
邬伟扬
吴俊娟
机构
[1] 燕山大学电气工程学院
[2] 燕山大学电气工程学院 河北省秦皇岛市
关键词
能带理论; 零电流开关; 开关动态特性; 功率半导体器件; 电压过冲; 串联谐振;
D O I
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2008.12.022
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
基于能带理论——载流子浓度分布与电极距离函数的宏观体现,该文提出了一种IGBT在高频正弦波电流及零电流开关条件下开关动态特性的分析方法。首先介绍了功率器件在实际电路中的工作条件,其次提出了IGBT的能带结构图,并通过对独立元件、稳态及暂态时的能带图的分析比较,得出开关动态特性,并给出开关时刻的电压电流初值及能带图;实验结果也验证了IGBT在高频正弦波电流下零电流开关的开关特性;根据这个特性,文章采用随谐振电流大小微调开关频率的方法,来实现功率管电压过冲的完全抑制。
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