ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究

被引：28

作者：

郭连权 ^{[1
]}

武鹤楠 ^{[1
]}

刘嘉慧 ^{[2
]}

马贺 ^{[1
]}

宋开颜 ^{[1
]}

李大业 ^{[1
]}

机构：

[1] 沈阳工业大学理学院

[2] 沈阳工业大学基础教育学院

来源：

人工晶体学报 | 2009年 / 02期

关键词：

ZnO; 第一性原理; 密度泛函理论; 能带; 带隙;

D O I：

暂无

中图分类号：

O734 [晶体的光学性质];

学科分类号：

070207 [光学];

摘要：

本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算。得到了ZnO的能带和态密度曲线。研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1eV处的宽度为1.1eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值。

引用

页码：440 / 444

页数：5

共 4 条

[1]

ZnO Schottky ultraviolet photodetectors[J] S. Liang;H. Sheng;Y. Liu;Z. Huo;Y. Lu;H. Shen Journal of Crystal Growth 2001,

[2]

Optimization of zinc oxide thin film for surface acoustic wave filters by radio frequency sputtering[J] Y Yoshino;T Makino;Y Katayama;T Hata Vacuum 2000,

[3]

Ultraviolet Detectors Based on Epitaxial ZnO Films Grown by MOCVD[J] Y. Liu;C. R. Gorla;S. Liang;N. Emanetoglu;Y. Lu;H. Shen;M. Wraback Journal of Electronic Materials 2000,

[4]

The properties and applications of ZnO thin films Frans C M; Am Ceram Soc Bull 1990,

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