未找到相关数据
磁电子学中的若干问题
被引：52
作者：
蔡建旺
赵见高
詹文山
沈保根
机构：
[1] 中国科学院物理研究所＆凝聚态物理中心磁学国家重点实验室
来源：
关键词：
磁电阻;
磁致电阻;
铁磁金属;
特大磁电阻效应;
巨磁电阻效应;
巨磁阻效应;
自旋极化;
多层膜;
光学薄膜;
自旋弛豫;
磁层;
自旋晶体管;
电子态密度;
磁化方向;
D O I：
暂无
中图分类号：
O441.2 [磁学];
学科分类号：
0809 ;
摘要：
本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容；全面总结了铁磁金属的磁电阻效应（ＡＭＲ）、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应（ＧＭＲ）、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应（ＣＭＲ）以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应（ＴＭＲ）研究中具有代表性的实验结果及理论模型；简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器（ＭＲＡＭ）和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。
引用
收藏
页码：3 / 33
页数：23
相关论文