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MoSi2低温氧化行为的研究
被引：5
作者：
张厚安
梁洁萍
李颂文
龙春光
机构：
[1] 湘潭矿业学院机械系
来源：
关键词：
氧化,MoSi2,温度;
D O I：
暂无
中图分类号：
TG148 [金属陶瓷材料];
学科分类号：
摘要：
通过热重量分析法（简称ＴＧＡ法）测定了ＭｏＳｉ２在低温下氧化不同时间后的重量变化，发现５００℃比４００℃或６００℃时的氧化速率明显加快，但未出现“ＰＥＳＴ”现象．认为“ＰＥＳＴ”与氧化层中相的组成有密切关系，氧化时表面生成的致密ＳｉＯ２保护层是阻碍氧化深入进行的重要原因．图３，参４．
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