氮化硼薄膜的场致发射特性

被引：5

作者：

顾广瑞

何志

李英爱

王翠

冯伟

赵永年

机构：

[1] 吉林大学超硬材料国家重点实验室

[2] 青岛化工学院信控学院

[3] 吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林长春

[4] 延边大学理工学院

[5] 吉林延吉

[6] 吉林长春

来源：

液晶与显示 | 2002年 / 01期

关键词：

BN薄膜; 场发射; 偏压;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN873.95 [];

学科分类号：

0810 ; 081001 ;

摘要：

研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性 ,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大

引用

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