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C3N4/TiN交替复合膜的微结构研究
被引：16
作者：
吴大维
付德君
毛先唯
叶明生
彭友贵
范湘军
机构：
[1] 武汉大学理学院技术物理系
来源：
关键词：
氮化碳薄膜;
封闭型;
氮化碳;
C3N4/TiN;
栅极电压;
反应溅射;
磁控溅射离子镀;
溅射电压;
照片;
晶化作用;
结合能曲线;
复合膜;
射线衍射;
晶面间距;
原子质量;
质量(物理);
衍射图像;
非平衡磁场;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
摘要：
采用双阴极封闭型非平衡磁场ｄｃ反应磁控溅射离子镀制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用Ｘ射线光电子能谱法分析了薄膜的组成，测量了薄膜的Ｘ射线衍射谱和氮化碳的透射电子衍射图像．氮化碳经氮化钛的强迫晶化作用，生成了β Ｃ３Ｎ４和ｃ Ｃ３Ｎ４．
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页数：9
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