溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响

被引：2

作者：

肖兴成

宋力昕

江伟辉

彭晓峰

胡行方

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海

来源：

无机材料学报 | 2000年 / 04期

关键词：

SiCN薄膜; 磁控溅射; FTIR; 光学带隙;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高降低了薄膜的沉积速率．Ｎ流量的提高使光学带隙增大．溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小．

引用

页码：717 / 721

页数：5

共 15 条

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