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用于LSI的双层布线工艺研究
被引：1
作者：
张沈军
机构：
[1] 东北微电子研究所
来源：
关键词：
布线工艺;
断条;
钻蚀;
二次;
一次;
刻蚀;
蚀刻;
水蚀;
阳极氧化过程;
LSI;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文在实验的基础上,叙述了LSI 中的几种双层布线工艺方法,将这几种方法进行了分析比较,并从中得出结论:Si3N4—SiO2方法以及 PI 方法是现行 LSI 中较为适用的双布线技术。
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