基于ANSYS的IGBT热模拟与分析

根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型。运用基于有限元法的分析软件ANSYS,对功率分别为0.5 W、1.0 W、1.5 W、2.0 W条件下的器件热分布进行模拟分析。结果表明,热耦合加剧了器件的自升温,且功率越大,影响越明显。另外,考虑了热导率随温度变化情况下的器件热模拟结果显示:在相同的功率(1 W)条件下,器件最高温升高4.8 K。由模拟结果得到的热阻与红外实测结果基本一致。