MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性

被引：4

作者：

童玉珍

张国义

陈娓兮

机构：

[1] 北京大学物理系及介观物理国家重点实验室

[2] 北京大学物理系及介观物理国家重点实验室北京

[3] 北京

[4] 北京

来源：

应用基础与工程科学学报 | 1994年 / 04期

关键词：

DBR; MOCVD; AlGaAs;

D O I：

10.16058/j.issn.1005-0930.1994.04.003

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

摘要：

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。

引用

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