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纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性
被引：11
作者：
赵东林
周万城
万伟
机构：
[1] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
来源：
关键词：
纳米Si/C/N复相粉体;
微波介电常量;
微观结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383 [特种结构材料];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要：
研究了纳米Si C N复相粉体在 8.2— 18GHz的微波介电特性 ,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置 ,以六甲基二硅胺烷 ((Me3Si) 2 NH) (Me∶CH3)为原料 ,用激光诱导气相反应法合成纳米Si C N复相粉体 ,复相粉体的粒径为 2 0— 30nm .纳米Si C N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部 (ε′)和虚部 (ε″)以及介电损耗角正切 (tanδ =ε″ ε′)随纳米粉体含量的增加而增大 ,ε′和ε″与纳米粉体体积分数 (v)之间符合二次函数关系 (ε′ ,ε″ =Av2 +Bv +C) ,纳米Si C N复相粉体的ε′和ε″在 8.2— 18GHz随频率的增大而逐渐减小 .纳米Si C N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子 ,在纳米Si C N复相粉体中形成大量的带电缺陷 ,在电磁场作用下形成极化耗散电流 ,极化弛豫是损耗电磁波的主要原因 ,纳米Si C N复相粉体的介电损耗较大 ,而且ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调节
引用
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页码：2471 / 2476
页数：6
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