镉(Cd)胁迫对枇杷生长和光合速率的影响

被引:14
作者
余东
李永裕
邱栋梁
刘星辉
机构
[1] 福建农林大学园艺学院
关键词
枇杷; Cd胁迫; 生长; 光合速率;
D O I
暂无
中图分类号
S667.3 [枇杷];
学科分类号
090201 ;
摘要
采用塑料袋营养土栽培试验方法,研究了Cd对枇杷苗生长和光合速率的影响。结果表明,高浓度的Cd对枇杷的生长有显著的抑制作用,且随着Cd浓度的增加,这种抑制作用愈明显。300、400、500 mg.L-1Cd处理使根系生物量分别比对照下降了35.75%、38.78%、43.04%,茎生物量分别比对照下降了29.84%、34.31%、37.93%,叶生物量则分别比对照下降了31.06%、34.83%、39.57%,并且使根的含水量分别比对照下降了9.27%、11.78%、12.91%,茎的含水量分别比对照下降了11.97%、12.24%、15.34%,叶的含水量分别比对照下降了10.61%、15.57%、18.50%。枇杷对Cd的敏感程度表现为根>叶>茎。Cd胁迫使枇杷叶片叶绿素以及类胡萝卜素含量下降,叶绿素b比叶绿素a和类胡萝卜素(Car)更容易受到伤害,叶绿素b、类胡萝卜素的含量基本同步减少。Cd胁迫影响枇杷叶片的光合作用,造成光合效率的降低,净光合速率下降。
引用
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