Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果

被引：1

作者：

秦华

陈坤基

黄信凡

李伟

机构：

[1] 南京大学物理系!南京

来源：

半导体学报 | 1997年 / 02期

关键词：

Triode PECVD; 电导率; 氢稀释; 电性; nc-Si; 电子迁移率; 栅极; 晶粒度; 晶粒规格; 晶粒尺寸; 流量比; Si;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变，其氢气流量比例[H2]／（[H2]＋[SiH4]）的阈值为93．3％．随着流量比进一步增大，晶化比例从12％增大至50％，但晶粒尺寸基本保持不变，nc－Si晶粒的平均尺寸约2．5nm，这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc－Si：H薄膜的新结果，并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象．

引用

页码：103 / 107

页数：5

共 10 条

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