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金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长
被引：5
作者：
韩祀瑾
陈金松
方容川
尚乃贵
邵庆益
乐德芬
廖源
叶祉渊
易波
崔景彪
机构：
[1] 中国科学技术大学物理系
来源：
关键词：
金刚石膜;
片上;
多晶铜;
金刚石薄膜;
磷脱氧铜;
成核密度;
基片;
衬底;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
分别采用９９．９９％的多晶铜片和９９．９５％的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜．使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜．脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数．特别采用了退火工艺和优化的生长条件来获得大面积的连续金刚石膜
引用
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页码：159 / 164
页数：6
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