电子束辐照对金花葵花粉萌发率的影响

被引：5

作者：

李云爽 ^{[1
]}

靳芳 ^{[1
]}

杨喜霞 ^{[1
]}

张丰收 ^{[2
]}

张涛 ^{[2
]}

苏颖 ^{[2
]}

连慕兰 ^{[1
]}

周云龙 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京师范大学生命科学学院

[2] 北京师范大学核科学与技术学院

来源：

中国农业科技导报 | 2011年 / 13卷 / 03期

关键词：

电子束; 金花葵(Abelmoschus manihot); 离子注入; 花粉萌发率; 生活力; 花粉;

D O I：

暂无

中图分类号：

S649 [其他蔬菜];

学科分类号：

摘要：

为研究电子束辐照对金花葵花粉萌发率的影响和对Cu2+注入的M1代的金花葵花粉萌发率的影响,通过300Gy、400Gy、500Gy、600Gy、800Gy和1 000Gy剂量的BF-5直线加速器对金花葵(Abelmoschus manihot)的离体花粉进行辐照处理。对处理花粉萌发培养研究表明,在电子束辐照实验剂量范围内,金花葵花粉的萌发率都受到抑制,但对经过Cu2+注入的M1代的金花葵花粉萌发率的影响则不同,其中较低剂量对4MeV 1×1011Cu2+/cm2M1代花粉萌发率影响不大;而对4MeV1×1012Cu2+/cm2M1代花粉萌发率则有提高和促进作用,说明Cu2+注入提高了M1代花粉对电子束的抗性。这对金花葵优良品种选育具有积极意义。

引用

页码：97 / 101

页数：5

共 17 条

[1]

中国核农学.[M].温贤芳主编;.河南科学技术出版社.1999,

[2]

植物生殖生理学.[M].[日]加滕幸雄;[日]志佐诚著;周永春;刘瑞征等译.科学出版社.1987,

[3] 低能离子束生物工程及其应用研究进展 [J].