ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N2气氛中的热退火研究

被引:14
作者
辛煜
宁兆元
程珊华
陆新华
甘肇强
黄松
机构
[1] 苏州大学物理系薄膜材料实验室
[2] 苏州大学化学系
[3] 苏州大学物理系薄膜材料实验室 苏州
[4] 苏州
关键词
电子回旋共振化学气相沉积; 红外吸收光谱; 热退火; 光学带隙;
D O I
暂无
中图分类号
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号
080501 ; 1406 ;
摘要
改变CHF3 CH4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (ECR CVD)制备了具有不同C—F键结构的a C :F :H薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 .借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源 .
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共 1 条
[1]   不同CHF3/CH4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析 [J].
辛煜 ;
宁兆元 ;
甘肇强 ;
陆新华 ;
方亮 ;
程珊华 .
物理学报, 2001, (12) :2492-2496