InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

被引：4

作者：

杨晓杰

王青

马文全

陈良惠

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室

来源：

物理学报 | 2007年 / 09期

关键词：

InGaAs; 量子点; 带内跃迁; 八带k·p理论;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

摘要：

根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50μm蓝移到11.87μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04μm红移到1.73μm;随着量子点高度从1.0nm增加到5.0nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12μm(5.90μm)红移到53.47μm(31.87μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13μm(1.60μm)红移到1.27μm(2.01μm).

引用

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