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葛根素对大鼠全脑缺血再灌注后学习记忆障碍保护作用及其机制的研究
被引:11
作者:
吴海琴
常明则
张桂莲
赵英贤
机构:
[1] 西安交通大学第二医院神经内科
[2] 西安交通大学第二医院神经内科 陕西西安
[3] 陕西西安
来源:
关键词:
脑缺血/再灌注损伤;
凋亡;
葛根素;
学习记忆;
D O I:
暂无
中图分类号:
R285 [中药药理学];
学科分类号:
1008 ;
摘要:
目的 探讨葛根素对大鼠全脑缺血再灌注后学习记忆能力的影响及其机制。方法 采用四血管阻断法建立 SD大鼠全脑缺血再灌注损伤模型 ,暗回避反应法测定学习记忆能力 ,并应用免疫组织化学法、原位末端标记法 ,检测大鼠全脑缺血再灌注海马 CA1 区的 bcl- 2阳性细胞数、凋亡细胞数的动态变化。结果 ( 1)与再灌注组相比 ,葛根素组大鼠潜伏期明显延长 ;( 2 )脑缺血再灌注后 ,海马 CA1 区 bcl- 2蛋白的表达随再灌注时间不同而变化 ,缺血 2 0 min后再灌注 2 4 h达高峰 ,葛根素组 bcl- 2蛋白的表达于相应的时间点明显增多 ;( 3)脑缺血再灌注后海马CA1 区神经元凋亡损伤在再灌注 72 h损伤最重 ,葛根素组可减少相应时点神经细胞凋亡数。结论 葛根素对全脑缺血再灌注后大鼠学习记忆能力具有明显的改善作用 ,其作用机制可能与通过上调 bcl- 2基因表达从而抑制或延迟脑缺血再灌注后细胞凋亡有关。
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