厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

被引：2

作者：

唐雄贵

高福华

高峰

郭永康

杜惊雷

刘世杰

机构：

[1] 四川大学物理科学与技术学院

来源：

微细加工技术 | 2005年 / 01期

关键词：

光刻; 厚层光刻胶; PAC浓度分布; 曝光; 后烘;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

摘要：

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确,且速度快。数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。

引用

页码：48 / 53

页数：6

共 8 条

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