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锡薄膜等温氧化研究
被引：8
作者：
吴广明
王珏
汤学峰
顾牡
陈玲燕
沈军
机构：
[1] 同济大学波耳固体物理研究所!上海
来源：
关键词：
锡薄膜;
金属;
金属材料;
薄膜厚度;
抛物线速率常数;
等温氧化;
锡膜;
表面层;
氧化层;
电子束蒸发;
孔隙结构;
多孔结构;
台阶仪;
氧扩散;
热氧化;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
采用电子束蒸发制备金属锡薄膜 ,将其在 2 5 0— 40 0℃温度范围内进行等温氧化 ,研究锡薄膜的热氧化动力学机制 .采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变 .实验结果表明 ,在 2 5 0— 40 0℃温度范围内 ,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长 ;转变活化能为 0 .34eV ;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制 .研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始 ,随着氧化的深入 ,SnO相分解形成Sn3 O4 相 ,最后转变为SnO2 相的热氧化机理
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页数：4
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