集成电路芯片的工艺诱生缺陷

被引：1

作者：

邹子英

闵靖

机构：

[1] 上海市计量测试技术研究院

[2] 上海市计量测试技术研究院上海　

[3] 上海　

来源：

微电子学 | 2003年 / 01期

关键词：

集成电路; 工艺芯片; 工艺诱生缺陷; 氧化诱生层错; 弗兰克不全位错;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

摘要：

调研了三条100～150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS电路,后一种存在于双极型电路。弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF),薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。同时,提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径。

引用

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