低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究

被引：2

作者：

李峥

王评初

徐保民

殷之文

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海

来源：

关键词：

钛酸锶; 晶界层电容器; 介电性质; 体深能级;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM53 [电容器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．

引用

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