Toll样受体信号转导通路介导的脑缺血耐受

被引:10
作者
李永旺
王保国
机构
[1] 首都医科大学附属北京天坛医院麻醉科
关键词
脑缺血; 耐受; toll样受体; 信号转导;
D O I
暂无
中图分类号
R743 [脑血管疾病];
学科分类号
100204 [神经病学];
摘要
许多预处理措施均可诱导脑缺血耐受,如短暂的全身或局部脑缺血、缺氧、内毒素、促炎细胞因子、麻醉剂等。耐受可在数分钟内快速形成(快速耐受),亦可在数小时至数天内迅速建立起神经保护状态(延迟耐受)。缺血造成组织细胞损伤,损伤的组织细胞释放一些内源性的激活物激活Toll样受体(Toll-like receptors,TLR s)炎症信号传导通路,诱发炎症反应,加重缺血损伤。在延迟缺血耐受的形成过程中,预处理激活TLR s信号通路,诱发轻微炎症,同时生成一些反馈抑制物(如抗炎细胞因子、诱饵受体和TLR s信号通路抑制剂)抑制随后严重缺血所造成的炎症反应,从而形成延迟耐受;快速耐受的形成可能是由于预处理因素影响了膜的流动性,改变了脂质筏的结构从而抑制了TLRs炎症信号通路。对脑缺血耐受发生机制的理解有助于预防和治疗脑缺血损伤。
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共 1 条
[1]
内毒素诱导的TLR4-MD2信号传导通路 [J].
李永旺 ;
麻莉 .
中国药理学通报, 2002, (02) :121-125