掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

被引：4

作者：

李会峰 ^{[1
]}

黄运华 ^{[2
]}

张跃 ^{[1
,2
]}

高祥熙 ^{[2
]}

赵婧 ^{[2
]}

王建 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京科技大学新金属材料国家重点实验室

[2] 北京科技大学材料物理与化学系

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 04期

关键词：

In掺杂; ZnO; 纳米阵列; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383.1 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400nm,长为2—3μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明,六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大,没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.

引用

页码：2702 / 2706

页数：5