激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究

被引：3

作者：

邓泽超

褚立志

丁学成

梁伟华

傅广生

王英龙

机构：

[1] 河北大学物理科学与技术学院

来源：

人工晶体学报 | 2009年 / 04期

关键词：

脉冲激光烧蚀; 激光退火; 成核势垒;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.04.041

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2)。结合激光晶化机理进行定量计算。结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9mJ。

引用

页码：876 / 879

页数：4

共 3 条

[1] 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性 [J].

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康建波 ;

马蕾 ;

张雷 ;

王侠 ;

范志东 .

人工晶体学报, 2008, (02) :471-474+465

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