Ge-SiO薄膜的光致发光及其机制

被引：6

作者：

董业民

陈静

汤乃云

叶春暖

吴雪梅

诸葛兰剑

姚伟国

不详

机构：

[1] 苏州大学物理系! 苏州

[2] 中国科学院上海冶金研究所! 上海

来源：

科学通报 | 2001年 / 06期

关键词：

Ge-SiO2薄膜; 射频磁控溅射; 光致发光; 发光机制;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.

引用

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