SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+晶格点缺陷的形成及其在发光材料中的作用

被引：17

作者：

吕兴栋 ^{[1
]}

舒万艮 ^{[2
]}

机构：

[1] 江西财经大学电子学院

[2] 中南大学化学化工学院

来源：

无机化学学报 | 2006年 / 05期

基金：

湖南省自然科学基金;

关键词：

铝酸盐; 发光材料; 晶格缺陷; 余辉;

D O I：

暂无

中图分类号：

O77 [晶体缺陷];

学科分类号：

摘要：

采用高温固相法合成了具有不同点缺陷的SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+发光粉。通过余辉衰减特性、激发光谱与热致发光性能测试,研究了晶格点缺陷在发光材料中的作用。结果表明,DyS·r对长余辉发光性能有很大的影响,可以作为具有合适深度的电子陷阱;氧离子空位(VO··)不能作为具有合适深度的电子陷阱,但可增加电子陷阱Dy3+的深度;掺入晶格的Dy3+与Eu2+之间存在相互作用,而且只有当DyS·r与EuSr×之间的距离足够接近时,DyS·r才能起到有效的电子陷阱的作用;VSr″可作为空穴陷阱,但VSr″浓度的变化不会引起长余辉发光性能的明显变化。

引用

页码：808 / 812

页数：5

共 9 条

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