极性晶体的生长习性

被引：13

作者：

李汶军

施尔畏

殷之文

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海

来源：

科学通报 | 1999年 / 22期

关键词：

ZnO晶体; ZnS晶体; SiO2晶体; 生长习性;

D O I：

暂无

中图分类号：

O78 [晶体生长];

学科分类号：

摘要：

采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO ,ZnS和SiO2 的理论生长习性 .发现其正负极轴方向的生长速度不同 .ZnO晶体的理论习性为六方柱状 ,各晶面的生长速度为 :V〈0 0 0 1〉>V〈0 111〉>V〈0 110〉>V〈0 111〉>V〈0 0 0 1〉;ZnS晶体的理论习性为四面体 ,各晶面的生长速度为 :V〈111〉>V〈0 0 1〉=V〈10 0〉=V〈0 10〉>V〈111〉;SiO2 晶体的正负极轴方向的生长速度为V〈112 0〉>V〈112 0〉.此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好 .而PBC理论不能解释正负极轴方向生长速度的差异 .

引用

页码：2388 / 2392

页数：5

共 4 条

[1] 负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌 [J].