基于半导体开关和磁开关的全固态脉冲电源

被引:15
作者
王冬冬
邱剑
刘克富
机构
[1] 复旦大学电光源研究所
关键词
全固态; Marx发生器; IGBT; 脉冲陡化; 磁开关;
D O I
暂无
中图分类号
TN782 [脉冲的产生、脉冲发生器];
学科分类号
摘要
利用磁开关来改善全固态Marx发生器的脉冲上升沿,并构建出一套脉冲电源。该套脉冲源包括基于IGBT半桥模块的Marx发生器和由磁开关与锐化电容构成的脉冲陡化电路。该电源用原边一匝的脉冲变压器为IGBT提供驱动信号,并且原副边绕组均采用同轴线以屏蔽电磁干扰;在门极采用无源过流保护的方法,以防止负载短路对IGBT放电开关造成损坏。实验结果表明:在电压10 kV,电流170 A的情况下,脉冲前沿由1.5μs压缩到了200 ns,同时IGBT的开通损耗由原来的10 mJ降到不足1 mJ。
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页码:730 / 734
页数:5
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